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Memoria kingston - 4gb - ddr3-1600mhz - sodimm - 204pin - latencia 11 - 1.5v

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MEMORIA KINGSTON - 4GB - DDR3-1600MHZ - SODIMM - 204PIN - LATENCIA 11 - 1.5V
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Referencia:
KVR16S11S8/4
Marca:
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Descripción
Fuente de alimentación: JEDEC estándar de 1.5V (1.425V ~ 1.575V)VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin8 bancos internos independientesLatencia CAS programable: 11, 10, 9, 8, 7, 6Latencia Additive programable: 0, CL - 2, or CL - 1 clock8-bit pre-fetchLongitud de ráfaga: 8 (Intervalo sin limite, secuencial solo con dirección inicial '000'), 4 con tCCD = 4 que no permite lecturas o escrituras transparentes [o al vuelo usando A12 o MRS]Diferencial de datos Strobe Bi-direccionalCalibración interna (Auto): Autocalibración interna mediante pin ZQ (RZQ : 240 ohm ± 1%)Terminación 'On Die' usando pin ODTPromedio periodo de actualizacion 7.8us a un menor que TCASE 85ºC, 3.9us a 85ºC <TCASE <95ºCReset AsíncronoPCB : Alto 1.180? (30.00mm), componentes a doble cara

Especificaciones tecnicas

  • CL(IDD): 11 ciclos
  • Tiempo de ciclo fila (tRCmin): 48.125ns (min.)
  • Actualizar a Active/Refresh tiempo comando (tRFCmin): 260ns (min.)
  • Tiempo de ciclo fila (tRASmin) 35ns (min.)
  • Potencia máxima de funcionamiento 2.100 W (Potencia variará dependiendo de la SDRAM utilizado)
  • UL Rating 94 V - 0
  • Temperatura de funcionamiento 0º C to 85º C
  • Temperatura de almacenamiento -55º C to +100º C
Detalles del producto
KVR16S11S8/4
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